Жорес Алферов – Физик. Академик. Нобелевский лауреат

В Беларуси 2018-2020годы проходят под знаком Года малой Родины. Белорусская земля стала Родиной для многих известных людей. Уроженцем Беларуси является лауреат Нобелевской премии по физике 2000 года, создатель полупроводников и лазеров – Жорес Иванович Алферов.

С 20 января по 29 февраля 2020 года на 6 этаже открыта выставка «Жорес Алферов – Физик. Академик. Нобелевский лауреат».

Ж.Алферов – один из крупнейших российских ученых и выдающихся физиков современности, ученый с мировым именем, чьи научные труды и изобретения в области физики и техники полупроводников получили широкое признание мирового научного сообщества. Он автор более 500 научных работ, трёх монографий и 50 изобретений.

Открытия ученого стали основой для создания современных электронных устройств, без которых уже немыслим современный мир: мобильных телефонов, проигрывателей компакт-дисков и оптоволоконной связи.

Выставка включает книги, статьи из журналов, интервью с академиком.

Список литературы, представленной на выставке

Алферов, Ж. И. Наука и общество / Ж. И. Алферов. – СПб : Наука, 2005. – 383 с.
Алферов, Ж. И. Избранные труды. Нанотехнологии / Ж. И. Алферов. – М. : Издательский дом Магистр-Пресс, 2011. – 268 с.
Алферов, Ж. И. Физика и жизнь / Ж. И. Алферов . – 2-е изд., доп. – М. : СПб : Наука, 2001. – 288 с.
Алферов, Ж .И. О возможности создания выпрямителя на сверхвысокие плотности тока на основе p-i-n(p-n-n+, n-p-p+) структуры с гетеропереходами / Ж. И. Алферов // Физика и техника полупроводников. – 1967 . – № 3. – С. 436-439.
Алферов, Ж. И. Координатно-чувствительные фотоэлементы на основе гетеропереходов AlGa_As_GaAs / Ж. И. Алферов, В. М. Андреев, Е. Л. Портной // Физика и техника полупроводников. – 1969. – № 9. –С. 1324-1327.
Алферов, Ж. И. Пространственное распределение излучения инжекционных лазеров с гетеропереходами в системе ALAs_GaAs при комнатной температуре / Ж. И. Алферов, В. М. Андреев, Ф. А. Гиммельфарб // Физика и техника полупроводников. – 1970. – № 9. – С. 1697-1703.
Алферов, Ж. И. Нанотехнологии микроэлектроники и энергетики / Ж. И. Алферов // Вестник Российской академии наук. – 2009. – № 3. – С. 224-229.
Алферов, Ж. И. Создание первого отечественного квантово-каскадного лазера терагерцового диапазона частот / Ж. И. Алферов, Ф. И. Зубов, А. Е. Жуков // Нано-и микросистемная техника. – 2007. – № 5. – С. 259-263.
Алферов, Ж. И. Нанотехнологии и полупроводниковые лазеры / Ж. И. Алферов // Нефтегазовый инжиниринг. – 2011. – № 3. – С. 6-9.
Алферов, Ж. И. Полупроводниковые гетеростуктуры: история и современные тенденции развития / Ж. И. Алферов // Наноструктурные материалы: Беларусь – Россия – Украина : НАНО ― 2014 : сб. пленар. докл. IV Междунар. науч. конф., Минск, 7―10 окт. 2014 г. / [редкол.: П. А. Витязь (гл. ред.), В. С. Урбанович, Е. Н. Шлома]. – Минск, 2015. – С. 14-18.
Алферов, Ж. И. Моя партия – Академия наук России / Ж. И. Алферов // Союзное государство. – 2013. – № 5. – С. 44-47.
Алферов, Ж. И. Традиции с давней историей / Ж. И. Алферов // Наука и инновации. – 2007. – № 12. – С. 28-30.
Алферов, Ж. И. Двойные гетероструктуры: концепция и применение в физике, электронике и технологии / Ж. И. Алферов // Нобелевская премия. Физика. – М., 2006. – (Нобелевские лекции — 100 лет). – Т. 13: 1999-2000. – С. 123-192.
Алферов, Ж. И. Наука в России: взгляд изнутри / / Ж. И. Алферов // В мире науки. – 2005. – № 4. – С. 24-26.
От информации, информационных процессов и технологий до нанотехнологий : (интервью с Ж. И. Алферовым) // Представительная власть. – 2009. – № 4. – С. 1-5.
Алферов, Ж. И. Развитие человечества идет благодаря смене технологий, а смена технологий рождается научными исследованиями и разработками / Ж. И. Алферов // Инновации. – 2015. – № 3. – С. 12-16.
Алферов, Ж. И. Небрежение наукой ведет к колонизации страны / Ж. И. Алферов // Парламентский журнал. – 2013. – № 8. – С. 14-16.
Без освоения высоких технологий у России нет будущего : (интервью Ж. Алферова // Российская федерация сегодня. – 2015. – № 4. – С. 34-37.
Алферов, Ж. И. О программе Российской академии наук в области нанотехнологий / Ж. И. Алферов // Вестник Российской академии наук 2008. – № 5. – С. 427-435.
Алферов, Ж. И. Академический физико-технологический университет – первое высшее учебное заведение Российской академии наук / Ж. И. Алферов, А. Е. Жуков // Инновации. – 2006. – № 10. – С. 18-22.
Алферов, Ж. И. Фонит сигнал тревоги / Ж. И. Алферов // Политическое просвещение. – 2019. – № 3. – С. 68-78.
Алферов, Ж. И. Наука – основа суверенитета России / Ж. И. Алферов // Интеллектуальная собственность. Промышленная собственность. – 2001. – № 11. – С. 51.
Алферов, Ж. И. «Сколково» — это идеология научно-технологического развития / Ж. И. Алферов //Электроника: наука, технологии, бизнес. – 2011. – № 4. – С. 6-11.
Алферов, Ж. И. «Силиконовая долина» для России / Ж. И. Алферов // Что нового в науке и технике. – 2004. – № 3. – С. 26.
Андреев, В. М. Фотоэлектрическое преобразование концентрированного солнечного излучения / В. М. Андреев, В. А. Грилихес, В. Д. Румянцев ; отв. ред. Ж. И. Алферов ; Акад. наук СССР, Отд. общей физики и астрономии, ФТИ им. А. Ф. Иоффе. – Л. : Наука, 1989. – 308 с.
Андреев, В. М. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов / В. М. Андреев, Л. М. Долгинов, Д. Н. Третьяков; под ред. Ж. И. Алферова. – М. : Советское радио, 1975. – 327 с.
Зайдель, А. Н. Погрешности измерений физических величин / А. Н. Зайдель ; отв. ред. Ж. И. Алферов ; Акад. наук СССР, ФТИ им. А. Ф. Иоффе. – Л. : Наука, 1985. – 112 с.